Параметры транзисторов IGBT

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Потери на переключение**, мДж	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Прямое падение напряжения	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IRG4PH50UD				6.38	0.64	2.78		TO-247
IRG4PH40UD				7.04	0.77	2.43		TO-247
IRG4PH30KD				1.56	1.2	3.10		TO-247
IRG4PH20KD				0.89	2.1	3.17		TO-247
IRG4PC60UD				4.9	0.24	1.5		TO-247
IRG4PC50UD				2.3	0.64	1.65		TO-247
IRG4PC40UD				4.7	0.77	1.5		TO-247
IRG4PC30KD				1.18	1.2	2.21		TO-247
IGW15T120				4.1	1.1	1.7		TO-247
IGW25N120H3					0.46	2.05		TO-247
IGW75N65H5				4.0	0.38	1.65		TO-247
IGW60T120				15,8	0,33	1,7		TO-247
IRG7PH28UD				1.4	1.09	1.95		TO-247
IRG7PH35UD				2,87	0,7	1.9		TO-247
IRG7PH37KD				2,7	0,6	1,9		TO-247
IRG7PH42UD				4,96	0,39	1,7		TO-247
IRG7PH46UD				6,4	0,32	1,7		TO-247
IRG7PH50UD				7,8	0,27	1,7		TO-247

*Номинальный ток транзистора

** При номинальном токе

*** По данным производителя кристалла транзистора

Параметры транзисторов MOSFET

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Сопротивление открытого канала транзистора, мОм	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IRFP2907Z				0,49	4,5		TO-247
IRFP3077				0,44	2,8		TO-247
IRFP4368				0,29	1,46		TO-247
IRFP4410Z				0,65	7,2		TO-247
IRFP4468				0,29	2,0		TO-247
IRFP4310Z				0,54	4,8		TO-247
IRFP4110				0,4	3,7		TO-247
IRFP4568				0,29	4,8		TO-247
IRFP4321				0,49			TO-247
IRFP4227				0,45			TO-247
IRFP4668				0,29			TO-247
IRFP4332				0,42			TO-247
IRFP4768				0,29	14,5		TO-247
IRFP4229				0.49			TO-247
IPW60R099				0.45			TO-247
IPW60R070	33.8	53.5		0.32			TO-247
IPW60R330	7.6	12.0		1.35			TO-247
IPW60R041P		77.5		0.26			TO-247

*Номинальный ток транзистора

** При номинальном токе

*** По данным производителя кристалла транзистора

Потери на переключение у MOSFET производителем не указаны из-за их малых значений.

Параметры некоторых современных диодов

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Прямое падение напряжения, В	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IDW100E60				0,4	1,65		TO-247
IDH20G120				0,35	2,5		TO-220
IDW75D65				0,46	1,32		TO-247
IDW30E65				1,06	1,35		TO-247
IDW15E65				1,75	1,6		TO-247
IDP40E65				0,75	1,6		TO-247
IDP45E60				0,8	1,5		TO-247
IDH16G120				0,46	2,25		TO-220
IDH08G120		22,8		0,92	2,25		TO-220
IDH16G65				0,9	1,25		TO-220
IDH20G120				0,35	2,0		TO-220
IDH10G120		31,9		0,7			TO-220
IDP12E120				1,3	1,7		TO-220
IDW50E60				0,8	1,65		TO-247
SDP04S60		5,6		4,1	1,7	36,5	TO-220
IDH12S60				1,3	1,7		TO-220