Схема с общей базой
Схема включения транзистора с общей базой (ОБ) изображена на рис. 4.8. Входным электродом является эмиттер (входной сигнал Uвx приложен к переходу эмиттер – база, база по переменному сигналу заземлена). Выходным электродом является коллектор; с учетом того, что база по переменному сигналу заземлена, можно считать, что Uвыx = fK, т. е. Uвыx≈ равно переменному напряжению между коллектором и базой. База является, таким образом, «общим электродом» для входного и выходного сигналов, откуда и происходит название схемы.
Назначение элементов RБ1, RБ2, СP1, СP2 и RK в схеме с ОБ такое же, как и в схеме с ОЭ. Дополнительными, в сравнении со схемой с ОЭ, элементами являются CБи RЭ. Базовая емкость CБ обеспечивает заземление базы по переменному сигналу. Непосредственное соединение базы с землей возможно только при наличии двух разнополярных источников питания: в самом деле, если fБ = 0 не только по переменному сигналу, а и по постоянному смещению, то для того чтобы р–n-переход эмиттер – база был открыт (fБ > fЭ), на эмиттер надо подавать постоянное отрицательное напряжение (на коллектор подается положительное напряжение). Чтобы избежать двухполярного питания, эмиттер заземляют, а на базу с помощью базового делителя подают положительное смещение fБ = = E(RБ2/(RБ1 + RБ2)).
Рис. 4.8 |
Сопротивление RЭ служит для того, чтобы на эмиттер можно было подавать переменный входной сигнал. Схема работает следующим образом. Когда Uвx≈ имеет положительную полярность, fЭ возрастает, в результате чего UБЭ = fБ – fЭ = fБ= – fЭ снижается и p–n-переход эмиттер-база частично закрывается. Ток IЭ уменьшается, в результате уменьшается и ток IK ≈ IЭ, снижается падение напряжения на сопротивлении RK, а потенциал fK = Е – IKRK возрастет. Так как fK≈ ≈ Uвыx≈, то при увеличении мгновенного значения Uвx≈ увеличивается и мгновенное значение Uвыx≈. При отрицательной полярности Uвx≈ происходят аналогичные процессы. Коэффициент усиления по напряжению KU = Uвыx≈/Uвx≈ = (IKRK)/(IЭ RЭ) ≈≈ RK/ RЭ.
Коэффициент передачи по току КI = Iвых/Iвх = IК/IЭ ≈ 1.
Таким образом, видно, что схема с общей базой не меняет фазу сигнала. Входное сопротивление Rвх = RЭ. При этом возникает следующая дилемма: с одной стороны, исходя из требования RK > RЭ (чтобы KU превосходил единицу), эмиттерное сопротивление следует выбирать малым; с другой стороны, каскад с низкоомным Rвx будет шунтировать выход предыдущей схемы, поэтому RЭ надо выбирать побольше. Реально значение RЭ составляют десятки ом, и схема с ОБ имеет малое входное сопротивление.
Выходное сопротивление ненагруженной схемы Rвых определяется параллельным соединением RK и (rKЭ + RЭ) и составляет обычно сотни ом – единицы килоом.
Амплитудная характеристика схемы с ОБ аналогична амплитудной характеристике схемы с общим эмиттером. Но реально КU в схеме с ОБ ниже, чем КU в схеме с ОЭ, поэтому предельная амплитуда входного сигнала, который можно усилить без нелинейных искажений, у схемы с ОБ больше, чем у схемы с ОЭ.
Амплитудно-частотная характеристика КU = КU(f) у схемы с ОБ аналогична АЧХ схемы с ОЭ, но в области средних частот идет ниже последней (так как КU ОБ < КU OЭ). На низких частотах разделительные емкости сильнее, чем в схеме с ОЭ, сказываются на работе схемы с ОБ, так как у схемы с ОБ малое Rвx, и эквивалентное сопротивление Ср становится малым в сравнении с Rвx при больших частотах, нежели в схеме с ОЭ. На высоких частотах спад АЧХ схемы с ОБ происходит также немного раньше, чем у схемы с ОЭ, так как R выx ОБ немного больше, чем Rвыx ОЭ.
Фазочастотная характеристика Dj = Dj(f) отлична от нуля на низких (Dj > 0) и на высоких частотах (Dj < 0).
Дата добавления: 2016-10-18; просмотров: 1838;