Обратное включение p-n перехода

<2 3 456 7 8 >

Переход находится под обратным напряжением, если знаки клемм источника питания противоположны знакам ОНЗ соответствующих областей перехода.

p n

0НЗ

ОНЗ

Е_ВНI_ОБР

Е_ВНЕШН

о о

U_ОБР

– поле, вызванное потенциальным барьером перехода.

Потенциальный барьер – это разность потенциалов, возникающая за счет наличия отрицательных ионов примеси в полупроводнике p-типа и положительных ионов примеси в полупроводнике n-типа. всегда направлено из n-области в p-область.

– поле, вызванное внешним источником питания .

Эти поля совпадают по направлению (сонаправлены), поэтому суммарное поле будет равно: .

Под действие суммарного поля ОНЗ начнут оттягиваться от границ перехода вглубь полупроводников. При этом толщина перехода, а, следовательно, и его сопротивление увеличатся, ток через такой контакт будет протекать очень незначительный.

Причем, этот ток будет образован движением ННЗ, т.е. будет являться дрейфовым током. Ток диффузии в данном случае будет стремиться к нулю. Таким образом, ток, протекающий через обратно смещенный переход, будет равен: , где - тепловой ток (т.к. этот ток сильно зависит от температуры, с ростом температуры он резко возрастает.).