Прямое и обратное включения электронно-дырочного перехода

При прямом включении n - слой соединяют с отрицательным полюсом источника напряжения, а p - слой - с положительным полюсом (рис.7). В p - n - переходе создаются условия для прохождения тока, отличающиеся от условий при термодинамическом равновесии. Пространственный заряд на p - n - переходе уменьшится, а потенциальный барьер снизится на величину Э.Д.С. источника.

Рисунок 7 – Прямое включение электронно-дырочного перехода

При прямом включении сопротивление и ширина p - n – перехода уменьшаются, p - n – переход открывается и через него протекает прямой ток. Прямой ток является током основных носителей (диффузионным током).

При обратном включении n - слой соединяют с положительным полюсом источника напряжения, а p - слой - с отрицательным полюсом (рис.8). При этом потенциальный барьер p-n-перехода увеличивается. Сопротивление и ширина p - n – перехода также увеличиваются, p - n – переход закрывается. Это приводит к уменьшению диффузионного тока (тока основных носителей) и увеличению дрейфового (тока неосновных носителей). Результирующий ток совпадает с дрейфовым током. При обратном включении через p - n – переход протекает очень маленький, близкий к нулю обратный ток.

Рисунок 8 – Обратное включение электронно-дырочного перехода

Таким образом можно сделать вывод, что величина тока зависит от способа включения p - n – перехода и величины напряжения. Зависимость тока, от величины напряжения называется вольтамперной характеристикой (ВАХ). На рис.9 представлена ВАХ электронно-дырочного перехода.

Рисунок 9 – Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода