Определение параметров идеализированных характеристик по реальным входным.

Максимально упрощенная система идеализированных характеристик ЭП не может с одинаковой точностью описывать работу ЭП в ГВВ в различных режимах. Поэтому, после того как метод идеализации получил широкое применение, были предложены способы определения параметров идеализированных характеристик по реальным, при которых сохранялась удовлетворительной точность анализа ГВВ.

Приводимые в справочниках значения параметров S, D обычно относятся к режиму номинальной мощности Р_1ном при рекомендуемых заводом-изготовителем номинальных питающих напряжениях Е_а.ном, Е_с2.ном.

Если же ЭП должен работать не при номинальной мощности или питающие напряжения не равны номинальным, то параметры идеализированных характеристик для увеличения точности расчетов целесообразно определять по СХ в рабочей области, которая определяется питающими напряжениями Е_а и Е_g2, заданной полезной мощностью Р₁ и приблизительным значением амплитуды импульса анодного (стокового, коллекторного) тока

1. Линия граничного режима. на СХ анодного тока отмечают точки а, б, в в верхней части наиболее изогнутого участка характеристик и проводят через них линию. Затем эта кривая линия заменяется прямой, которая для триодов и транзисторов исходит из точки е_а=0; i_a=0, а для тетродов проходит практически вертикально.

Рисунок 1.Статические характеристики и линии граничного режима для триодов.

На уровне i_{a max} на линии граничного режима отметим точку А. Проекция этой точки на ось E_a отмечает остаточное анодное напряжение, равное граничному: е_а.ост=е_a.гр.

2. Крутизна линии граничного режима S_гр, пропорциональная tg , может быть найдена из выражения .

3. Крутизна характеристики анодного тока S определяется по реальным СХ с учетом нижнего сгиба последних. Отложив на характеристике, снятой при е_а=е_а.гр,

точку А, проведем через нее прямую 1 до соединения с точкой отсечки анодного тока, касательную к характеристике 2, пересекающую ось абсцисс в точке E_g2 и перпендикуляр к оси абсцисс, пересекающий ее в точке E_g3.

4. Напряжение отсечки анодного тока. для идеализированных характеристик можно найти либо вычислив по уже определенным параметрам ;либо определив, как указано на рисунке 2 . Последний способ дает достаточно точные результаты для современных тетродов, предназначенных для линейного усиления модулированных колебаний.

Рисунок 2.К определению напряжения отсечки.

5. Проницаемость управляющей сетки D для триодов можно найти по анодно-сеточным характеристикам (рисунок 3). На уровне проводится горизонтальная линия, на пересечении с характеристиками, снятыми при e_a2 и e_a0, отмечаются точки А и В и их проекции на оси абсцисс Е_g1 и Е_g2. Проницаемость рассчитывается из выражения .

Рисунок 3.Анодно-сеточные характеристики триода.

6. Напряжение приведения Е_g0, E_a0, E_g2 определяются как напряжения, при которых были сняты реальные СХ, которым соответствуют идеализированные характеристики, проходящие через начало координат. Так на рисунке 1 определены сеточные напряжения приведения Е_g0 и определены анодные напряжения приведения Е_а0. По этим же методикам могут быть определены соответствующие параметры для биполярных и полевых транзисторов.