Селективные усилители на транзисторах
В диапазоне до 300-500 мГц расчет СУ на транзисторах проводится на основе Y − параметров. Величина Y − параметров определяется типом транзистора, его режимом работы, рабочей частотой т. схемой включения. Связь Y − параметров транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ), со схемами включения с общей базой (ОБ) и с каскадной схемой ОЭ-ОБ, приведена в табл.16.
Таблица 16
Параметры | Схема включения транзисторов | |
ОБ | ОЭ-ОБ | |
Y11 | ≈ Y21Э | ≈ Y11Э |
Y12 | ≈ (Y12Э+Y22Э) | ≈ (Y12Э Y22Э)/Y21Э |
Y21 | ≈ -Y21Э | ≈ Y21Э |
Y22 | ≈ Y22Э | ≈ -Y12Э |
Эквивалентная схема СУ на транзисторе приведена на рис. 5. Она состоит из транзистора, представленного в виде четырехполюсника ||Y||, входного и выходного колебательных контуров (K1), (К2), источника сигнала IC с проводимостью gC, нагрузки с проводимостью gН.
Существует ряд режимов работы СУ, которые отличаются различными величинами коэффициента усиления, коэффициента шума, частотной избирательности. Режимы работы СУ обеспечиваются соответствующим выбором коэффициентов включения mIJ транзистора, источника сигнала и нагрузки в контуре.
Вне зависимости от того, в каком режиме работает СУ, необходимо выполнение условия:
,
где K0 - резонансный коэффициент усиления СУ,
- устойчивый коэффициент усиления,
kУ – коэффициент устойчивости,
− модуль крутизны транзистора,
− модуль обратной проходной проводимости транзистора.
Выполнение этого условия гарантирует устойчивость усилителя и обеспечивает стабильность заданных частотных характеристик СУ. Рассмотрим некоторые из режимов работы СУ.
Дата добавления: 2022-02-05; просмотров: 146;